分子式：NF3。 
基本性質(zhì):氣體分子量：71.01，熔點：–206.8℃（1atm），沸點：–129℃（1atm），臨界溫度：–39.3℃， 
臨界壓力：44.02atm（4.46MPa）， 
液體密度：1554 kg/m3（1atm，沸點時）， 
氣體密度：2.95 kg/m3（1atm,21℃）， 
水中溶解度（1atm，22℃）：1.43×10-5當(dāng)量濃度。純凈的NF3氣體是一種無色無味的氣體，當(dāng)混入定量的雜質(zhì)氣體后顏色發(fā)黃，同時會有發(fā)霉或刺激性氣味。NF3氣體不可燃，但能助燃。當(dāng)溫度超350℃時，三氟化氮氣體會緩慢分解，分解時產(chǎn)生強氧化性氟，因此，在高溫下它是一種強氧化劑。 
CAS No.：7783-54-2。 
UN UN.：2451  
危險性類別：第2.3類有毒氣體，在空氣中的至高允許含量為29mg/m3。 
產(chǎn)品純度: 99.99%~99.995% 
產(chǎn)品包裝:47L鋼瓶,22kg/瓶;40L鋼瓶,20kg/瓶;8L鋼瓶,3.4kg/瓶;鋼瓶標(biāo)準(zhǔn)：DOT-3AA, GB5099； 
閥門：CGA330、CGA640 
產(chǎn)品用途:三氟化氮是用作氟化氫－氟化氣高能化學(xué)激光器的氟源，在h2-O2 與F2之間反應(yīng)能的部分（約25％）可以以激光輻射釋放出，所HF-OF激光器是化學(xué)激光器中有希望的激光器。三氟化氮是微電子工業(yè)中一種好的等離子蝕刻氣體，對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面沒有污染，在厚度小于1.5um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有好的的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時也是良好的清洗劑。隨著納米技術(shù)的發(fā)展和電子工業(yè)大規(guī)模的發(fā)展技術(shù)，它的需求量將日益增加。  
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